SK海力士宣布2020年量产1Znm工艺的DRAM

　　存储制造商SK海力士在10月21日宣布，公司已成功开发出1Znm工艺的16GB DDR4动态随机存储器(DRAM)，创下业内单芯最大密度的纪录。

　　与上一代1Y nm产品相比，1Z nm产品的产能提升约27%，因其无需昂贵的极紫外(EUV)光刻，所以更具成本竞争优势。与使用1Y nm工艺打造、基于8Gb DRAM制成的同容量模块相比，其能耗更是降低40%。此外，新型1Z nm DRAM还支持高达DDR4-3200的数据传输速率。

　　值得一提的是，SK hynix引入全新的材料和新的设计，最大限度地提升1Z nm产品的电容。电容作为DRAM运行的关键要素，会直接决定内存可存储的电荷量，直接影响操作的稳定性。

　　SK海力士DRAM开发与业务负责人Lee Jung-hoon表示：1Z nm DDR4 DRAM具有业界最高的密度、速度和能效优势，使之成为追求高性能、高密度 DRAM 客户适应不断变化需求的最佳选择。

　　最后，SK海力士计划将1Znm工艺扩展到各种应用，如下一代LPDDR5移动DRAM以及更快的HBM3显存上。量产并全面交付将在2020年实现。