三星完成12层3D硅穿孔堆叠：单片HBM存储容量提至24GB

　　随着集成电路规模的扩大，如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战，其中多芯片堆叠封装被认为是目前最好的解决方案，毕竟半导体微缩的开发进度已经赶不上使用需求。

　　三星电子在10月7日正式公布，该公司率先开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术，DRAM芯片通过60000个TSV孔连接，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

　　三星表示这种12层的总封装厚度为720μm，与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同。意味着客户不需要改动内部设计，就可以获得更大容量的芯片。而且3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间，提高带宽、传输性能。

　　三星透露，这种基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从8GB提升到24GB。